第57章 制造高纯硅晶棒需要不遣余力 (第2/3页)

命、电阻率范围、电阻率均匀性、氧含量、碳含量、直径、长度、端面平兴度、端面弯曲度、位错密度以及裂纹硬伤等。

除开直径长度这两项，其他都必须等到检测合格并达到规定标准后，才能进行下一步的切片加工。

这么多项的检测项目并没有花费多长时间，因为有专门的单晶硅棒检测设备对其检测。

出来的测试报告首先交给了布雷迪，看到出来的检测数据之后其脸上原本严肃的表情满满有了些许笑容，但是没过一会儿便又变得严肃起来。

姚飞接过报告，看过之后他就明白了，原来氧的含量还是大大的超标了，现在的纯度也只达到99.57%，距离可用的99.9%貌似还有很大的一段差距，千万不要小看这0.42%的纯度差距，利用这两种纯度生产出来的产品绝对是一个天上一个地上。

要是继续依靠传统的老办法进行不断的改进，姚飞估计得需要相当一段长时间了，哪怕是有他的不断参与，估计也得话费一两年的时间，而这时间，姚飞完全耗不起。

“教授，你们已经非常成功了，接下来如果我们想要在短时间内制造出符合标准的硅晶棒，恐怕得开始尝试使用磁控直拉技术，对于这项技术，我个人建议可以先从横向磁场开始实验……”

短短的时间之内布雷迪就将实验室重新建立起来，并顺利开炉纯度还有所提高，虽然这是实验室环境下，但不可否认这都是其能力的体现。

“没问题，马上对生长炉进行改装，制造磁场……”

由于此前对于磁场对熔体施加的力值姚飞已经说明，所以磁体的大小也是事先已经准备完毕，只要测量好位置，然后安装就行。

当然，这也只能说理论上是正确安装了，但是要想达到理想效果还是要根据后续在生长中熔体受力状况不断的进行微调整。

磁体的安装速度很快，也就是在炉室壁外侧两面加装两块电磁体就可以了，这样通电的时候可以控制电流的强弱制造不同强度的磁场。

生长炉经过一段时间的彻底冷却下来，取出已经使用过的报废石英坩埚，再换上新的坩埚，封闭炉门。

经过抽真空、捡漏以及炉压控制步骤之后，新一轮的填料便能得以继续进行了。

磁控直拉生长技术和直拉生长技术的操作步骤是相同的，之前看到了他们对于生长炉的操控，姚飞没什么不放心的。

“教授，关于磁场对于熔体运动影响的问题我想你们可以在以后的单晶硅实际生长中将各种数据慢慢比对，然后选用最佳位置制造最佳磁场。

现在我认为我们可以加快进程了，为了能早日制备出用于集成电路制造的标准级别的硅单晶，

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